Импульсный отжиг полупроводниковых материалов
О курсе
В курсе систематизированы данные по импульсному отжигу
полупроводниковых материалов, в основном по отжигу имплантированных ионами
слоев наносекундными, миллисекундными импульсами и сканирующими лучами.
Основное внимание уделено отжигу радиационных дефектов и кристаллизации
разупорядоченных слоев, активации и перераспределению примеси. Приводятся
типовые расчеты тепловых полей, их релаксации и описание техники импульсных
отжигов. Обсуждаются дискуссионные вопросы о влиянии атермических факторов,
выделены нерешенные проблемы, приведены примеры практического использования
импульсных обработок.
Курс является введением в новую быстро развивающуюся область
— ионно-импульсную модификацию материалов. Курс рассчитан на специалистов —
физиков и инженеров, занимающихся проблемами твердотельной электроники.
Какие знания получу?
-
Понимание принципов ионно-импульсную модификации материалов
Требования
- Знание физики
Уроков
- 75 Уроков
- Часов
- Описание и принятые сокращения
- Взаимодействие импульсов излучения с твердым телом - Часть 1
- Взаимодействие импульсов излучения с твердым телом - Часть 2
- Взаимодействие импульсов излучения с твердым телом - Часть 3
- 1.2 - Особенности корпускулярного излучения - Часть 1
- 1.2 - Особенности корпускулярного излучения - Часть 2
- 1.3 Эффекты возникающие при действии импульсов лазера на твёрдые тела - Часть 1
- 1.3 Эффекты возникающие при действии импульсов лазера на твёрдые тела - Часть 2
- 1.3 Эффекты возникающие при действии импульсов лазера на твёрдые тела - Часть 3
- 1.4 Действие мощных лазерных импульсов на полупроводники - Часть 1
- 1.4 Действие мощных лазерных импульсов на полупроводники - Часть 2
- Расчёты температурных полей в полупроводниках - Часть 1
- Расчёты температурных полей в полупроводниках - Часть 2
- Расчёты температурных полей в полупроводниках - Часть 3
- Расчёты температурных полей в полупроводниках - Часть 4
- Установки, использующие одиночные лазерные импульсы и импульсы электронов - Часть 1
- Установки, использующие одиночные лазерные импульсы и импульсы электронов - Часть 2
- Установки, предназначенные для обработки больших площадей - Часть 1
- Установки, предназначенные для обработки больших площадей - Часть 2
- Установки, предназначенные для обработки больших площадей - Часть 3
- Особенности импульсного отжига структурных несовершенств
- Кристаллизация аморфизированных слоёв импульсами миллисекундной длительности - Часть 1
- Кристаллизация аморфизированных слоёв импульсами миллисекундной длительности - Часть 2
- Кристаллизация аморфизированных слоёв импульсами миллисекундной длительности - Часть 3
- Отжиг частично разупорядоченных слоёв импульсами миллисекундной длительности
- Отжиг имплантированных слоёв сканирующими лазерными лучами - Часть 1
- Отжиг имплантированных слоёв сканирующими лазерными лучами - Часть 2
- Кристаллизация аморфизированных слоёв импульсами наносекундной длительности - Часть 2
- Отжиг частично упорядоченных слоёв импульсами наносекундной длительности - Часть 1
- Отжиг частично упорядоченных слоёв импульсами наносекундной длительности - Часть 2
- Структурные несовершенства в приповерхностных слоях после импульсного отжига - Часть 1
- Структурные несовершенства в приповерхностных слоях после импульсного отжига - Часть 2
- О роли атермических факторов при импульсном отжиге - Часть 1
- О роли атермических факторов при импульсном отжиге - Часть 2
- Объяснение
- Распределение по глубине и растворимость примеси при отжиге в миллисекундном диапазоне - Часть 1
- Распределение по глубине и растворимость примеси при отжиге в миллисекундном диапазоне - Часть 2
- Распределение по глубине и растворимость примеси при отжиге в наносекундном диапазоне - Часть 1
- Распределение по глубине и растворимость примеси при отжиге в наносекундном диапазоне - Часть 2
- Распределение по глубине и растворимость примеси при отжиге в наносекундном диапазоне - Часть 3
- Распределение по глубине и растворимость примеси при отжиге в наносекундном диапазоне - Часть 4
- Распределение по глубине и растворимость примеси при отжиге в наносекундном диапазоне - Часть 5
- Распределение по глубине и растворимость примеси при отжиге в наносекундном диапазоне - Часть 6
- Механизмы перераспределения примеси - Часть 1
- Механизмы перераспределения примеси - Часть 2
- Механизмы перераспределения примеси - Часть 3
- Механизмы перераспределения примеси - Часть 4
- Факторы, определяющие форму профиля примеси - Часть 1
- Факторы, определяющие форму профиля примеси - Часть 2
- Электрические характеристики отожженных слоев - Часть 1
- Электрические характеристики отожженных слоев - Часть 2
- Объяснение
- Изменение структуры и поведение примеси в аморфных и поликристаллических полупроводниковых плёнках - Часть 2
- Изменение структуры и поведение примеси в аморфных и поликристаллических полупроводниковых плёнках - Часть 3
- Изменение структуры и поведение примеси в аморфных и поликристаллических полупроводниковых плёнках - Часть 4
- Образование соединений и сплавов - Часть 1
- Образование соединений и сплавов - Часть 2
- Образование соединений и сплавов - Часть 3
- Образование соединений и сплавов - Часть 4
- Образование соединений и сплавов - Часть 5
- Действие импульсного излучения на структуру диэлектрик - полупроводник - Часть 1
- Действие импульсного излучения на структуру диэлектрик - полупроводник - Часть 2
- Действие импульсного излучения на структуру диэлектрик - полупроводник - Часть 3
- Получение омических контактов - Часть 1
- Получение омических контактов - Часть 2
- Получение омических контактов - Часть 3
- Создание p-n переходов отжигом имплантированных слоёв - Часть 1
- Создание p-n переходов отжигом имплантированных слоёв - Часть 2
- Создание p-n переходов отжигом имплантированных слоёв - Часть 3
- Формирование p-n переходов импульсной обработкой без применений ионной имплантации - Часть 1
- Формирование p-n переходов импульсной обработкой без применений ионной имплантации - Часть 2
- Примеры применения импульсного отжига для создания полупроводниковых приборов - Часть 1
- Примеры применения импульсного отжига для создания полупроводниковых приборов - Часть 2
- Примеры применения импульсного отжига для создания полупроводниковых приборов - Часть 3
- Примеры применения импульсного отжига для создания полупроводниковых приборов - Часть 4
Об учителе
Имя : Александр Тимошенко
Отзывов : 3 Отзывов
Студент :
52 студентов
Курсы :
12 Курсы
Отзывов
0
расчитано на основе 0 Отзывов
1 Stars
2 Stars
3 Stars
4 Stars
5 Stars