Импульсный отжиг полупроводниковых материалов

О курсе

В курсе систематизированы данные по импульсному отжигу полупроводниковых материалов, в основном по отжигу имплантиро­ванных ионами слоев наносекундными, миллисекундными импуль­сами и сканирующими лучами. Основное внимание уделено отжигу радиационных дефектов и кристаллизации разупорядоченных слоев, активации и перераспределению примеси. Приводятся типовые рас­четы тепловых полей, их релаксации и описание техники импульс­ных отжигов. Обсуждаются дискуссионные вопросы о влиянии атер­мических факторов, выделены нерешенные проблемы, приведены примеры практического использования импульсных обработок.

Курс является введением в новую быстро развивающуюся область — ионно-импульсную модификацию материалов. Курс рассчи­тан на специалистов — физиков и инженеров, занимающихся про­блемами твердотельной электроники.

Какие знания получу?
  • Понимание принципов ионно-импульсную модификации материалов


Требования
  • Знание физики

Уроков

  • 75 Уроков
  • 00:00:00 Часов
  • Описание и принятые сокращения
  • Действие импульсного излучения на структуру диэлектрик - полупроводник - Часть 1
  • Взаимодействие импульсов излучения с твердым телом - Часть 1
  • Взаимодействие импульсов излучения с твердым телом - Часть 2
  • Взаимодействие импульсов излучения с твердым телом - Часть 3
  • 1.2 - Особенности корпускулярного излучения - Часть 1
  • 1.2 - Особенности корпускулярного излучения - Часть 2
  • 1.3 Эффекты возникающие при действии импульсов лазера на твёрдые тела - Часть 1
  • 1.3 Эффекты возникающие при действии импульсов лазера на твёрдые тела - Часть 2
  • 1.3 Эффекты возникающие при действии импульсов лазера на твёрдые тела - Часть 3
  • 1.4 Действие мощных лазерных импульсов на полупроводники - Часть 1
  • 1.4 Действие мощных лазерных импульсов на полупроводники - Часть 2
  • Расчёты температурных полей в полупроводниках - Часть 1
  • Расчёты температурных полей в полупроводниках - Часть 2
  • Расчёты температурных полей в полупроводниках - Часть 3
  • Расчёты температурных полей в полупроводниках - Часть 4
  • Установки, использующие одиночные лазерные импульсы и импульсы электронов - Часть 1
  • Установки, использующие одиночные лазерные импульсы и импульсы электронов - Часть 2
  • Установки, предназначенные для обработки больших площадей - Часть 1
  • Установки, предназначенные для обработки больших площадей - Часть 2
  • Установки, предназначенные для обработки больших площадей - Часть 3
  • Особенности импульсного отжига структурных несовершенств
  • Кристаллизация аморфизированных слоёв импульсами миллисекундной длительности - Часть 1
  • Кристаллизация аморфизированных слоёв импульсами миллисекундной длительности - Часть 2
  • Кристаллизация аморфизированных слоёв импульсами миллисекундной длительности - Часть 3
  • Отжиг частично разупорядоченных слоёв импульсами миллисекундной длительности
  • Отжиг имплантированных слоёв сканирующими лазерными лучами - Часть 1
  • Отжиг имплантированных слоёв сканирующими лазерными лучами - Часть 2
  • Кристаллизация аморфизированных слоёв импульсами наносекундной длительности - Часть 2
  • Отжиг частично упорядоченных слоёв импульсами наносекундной длительности - Часть 1
  • Отжиг частично упорядоченных слоёв импульсами наносекундной длительности - Часть 2
  • Структурные несовершенства в приповерхностных слоях после импульсного отжига - Часть 1
  • Структурные несовершенства в приповерхностных слоях после импульсного отжига - Часть 2
  • О роли атермических факторов при импульсном отжиге - Часть 1
  • О роли атермических факторов при импульсном отжиге - Часть 2
  • Объяснение
  • Распределение по глубине и растворимость примеси при отжиге в миллисекундном диапазоне - Часть 1
  • Распределение по глубине и растворимость примеси при отжиге в миллисекундном диапазоне - Часть 2
  • Распределение по глубине и растворимость примеси при отжиге в наносекундном диапазоне - Часть 1
  • Распределение по глубине и растворимость примеси при отжиге в наносекундном диапазоне - Часть 2
  • Распределение по глубине и растворимость примеси при отжиге в наносекундном диапазоне - Часть 3
  • Распределение по глубине и растворимость примеси при отжиге в наносекундном диапазоне - Часть 4
  • Распределение по глубине и растворимость примеси при отжиге в наносекундном диапазоне - Часть 5
  • Распределение по глубине и растворимость примеси при отжиге в наносекундном диапазоне - Часть 6
  • Механизмы перераспределения примеси - Часть 1
  • Механизмы перераспределения примеси - Часть 2
  • Механизмы перераспределения примеси - Часть 3
  • Механизмы перераспределения примеси - Часть 4
  • Факторы, определяющие форму профиля примеси - Часть 1
  • Факторы, определяющие форму профиля примеси - Часть 2
  • Электрические характеристики отожженных слоев - Часть 1
  • Электрические характеристики отожженных слоев - Часть 2
  • Объяснение
  • Изменение структуры и поведение примеси в аморфных и поликристаллических полупроводниковых плёнках - Часть 2
  • Изменение структуры и поведение примеси в аморфных и поликристаллических полупроводниковых плёнках - Часть 3
  • Изменение структуры и поведение примеси в аморфных и поликристаллических полупроводниковых плёнках - Часть 4
  • Образование соединений и сплавов - Часть 1
  • Образование соединений и сплавов - Часть 2
  • Образование соединений и сплавов - Часть 3
  • Образование соединений и сплавов - Часть 4
  • Образование соединений и сплавов - Часть 5
  • Действие импульсного излучения на структуру диэлектрик - полупроводник - Часть 2
  • Действие импульсного излучения на структуру диэлектрик - полупроводник - Часть 3
  • Получение омических контактов - Часть 1
  • Получение омических контактов - Часть 2
  • Получение омических контактов - Часть 3
  • Создание p-n переходов отжигом имплантированных слоёв - Часть 1
  • Создание p-n переходов отжигом имплантированных слоёв - Часть 2
  • Создание p-n переходов отжигом имплантированных слоёв - Часть 3
  • Формирование p-n переходов импульсной обработкой без применений ионной имплантации - Часть 1
  • Формирование p-n переходов импульсной обработкой без применений ионной имплантации - Часть 2
  • Примеры применения импульсного отжига для создания полупроводниковых приборов - Часть 1
  • Примеры применения импульсного отжига для создания полупроводниковых приборов - Часть 2
  • Примеры применения импульсного отжига для создания полупроводниковых приборов - Часть 3
  • Примеры применения импульсного отжига для создания полупроводниковых приборов - Часть 4

Об учителе

Учитель
Имя : Александр Тимошенко
Отзывов : 2 Отзывов
Студент : 34 студентов
Курсы : 7 Курсы

Отзывов

0
расчитано на основе 0 Отзывов
1
2
3
4
5